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SY5701
输入电压范围：1.1V~5.5V 低导通阻抗：RON=55mΩ at VIN=5.5V；RON=60mΩ at VIN=5V；RON=75mΩ at VIN=3.3V；RON=80mΩ at VIN=2.5V；RON=135mΩ at VIN=1.8V；RON=270mΩ at VIN=1.2V；RON=350mΩ at VIN=1.1V 最大输出电流：1A IQ: 15nA/ SD: 10nA 100us 开启速度 快速输出放电（QOD） 软启动抑制浪涌电流 智能的 EN 脚下拉电阻 封装：FOCSP-4-0.76mm*0.76mm与DFN-1x1-4L
所属分类：
- 产品描述
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- 商品名称: SY5701
- 封装: DFN-1mm*1mm-4L
- 品牌: 思远半导体
输入电压范围：1.1V~5.5V 低导通阻抗：RON=55mΩ at VIN=5.5V；RON=60mΩ at VIN=5V；RON=75mΩ at VIN=3.3V；RON=80mΩ at VIN=2.5V；RON=135mΩ at VIN=1.8V；RON=270mΩ at VIN=1.2V；RON=350mΩ at VIN=1.1V 最大输出电流：1A IQ: 15nA/ SD: 10nA 100us 开启速度 快速输出放电（QOD） 软启动抑制浪涌电流 智能的 EN 脚下拉电阻 封装：FOCSP-4-0.76mm*0.76mm与DFN-1x1-4L
SY5701是一颗小型，低RON，超低功耗，快速开启的load switch，最大支持1A电流。低于20nA的工作电流可支持应用在智能手表、手环等功耗敏感的设备上。SY5701包含1个60mΩ（典型应用）P沟道 MOSFET，可在1.1V至5.5V的输入电压下工作。可通过EN脚控制开关，1V的较低控制电压即可开启开 关，支持1.2V I/O控制应用。EN脚内部有智能的下拉 电阻，在EN未拉高时，接入一个典型值为500kΩ的对地电阻，保证EN脚状态，EN脚升高状态翻高时，断开下拉电阻，保证低功耗。SY5701内部做了开启速度控制,可在快速开启的同时抑制浪涌电流。典型应用下输出开启时间为 100us。SY5701采用FOCSP- 4封装，面积0.76mm*0.76mm，0.4mm pitch，同时也支持DFN-1mm*1mm-4L小型封装。
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